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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y334MBABT31G

GA1206Y334MBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:14:32 查看 閱讀�2

GA1206Y334MBABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提高整體性能�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于多種需要高效功率管理的�(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,有助于�(shí)�(xiàn)更高的集成度和更小的電路板占用空��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�78nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=15ns, toff=28ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

GA1206Y334MBABT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提升效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,可支持高頻�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
  4. 小尺寸封�,適合緊湊型�(shè)�(jì)需求�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(wěn)定的工作溫度范圍,確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的半橋或全橋配置�
  3. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及反激�?fù)�?br>  4. 電池保護(hù)電路中作為負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. 汽車電子系統(tǒng)的功率控制模��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)組件�

替代型號(hào)

IRF3205
  FDP5800
  AUIRF3205S

ga1206y334mbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.33 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-