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GA1206Y393JBABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 16:16:19 查看 閱讀�19

GA1206Y393JBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用中。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
  其封裝形式為 LFPAK88,這種封裝能夠提供�(yōu)異的散熱性能和電氣特�,非常適合要求苛刻的應用場景�

參數(shù)

類型:MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�120A
  導通電阻(典型值)�1.4mΩ
  柵極電荷�105nC
  開關(guān)頻率:高� 1MHz
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝:LFPAK88

特�

GA1206Y393JBABR31G 提供了非常低的導通電阻,從而減少了傳導損耗并提高了系�(tǒng)效率�
  此外,該器件的高開關(guān)速度使其能夠在高頻應用中保持較低的開�(guān)損��
  其堅固的�(shè)計和寬廣的工作溫度范圍確保了在各種環(huán)境條件下的可靠運��
  LFPAK88 封裝進一步增強了散熱能力,使得該器件適用于高功率密度的設(shè)��

應用

� MOSFET 廣泛應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、工�(yè)自動化設(shè)備以及電動汽車相�(guān)的電力電子系�(tǒng)�
  由于其大電流處理能力和高頻性能,它特別適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
  此外,它還被用于負載切換、逆變器設(shè)計以及其他需要快速響應和低損耗的電力控制場景�

替代型號

GA1206Y393JBAR31G

ga1206y393jbabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.039 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-