GA1206Y393JBABR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應用中。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�
其封裝形式為 LFPAK88,這種封裝能夠提供�(yōu)異的散熱性能和電氣特�,非常適合要求苛刻的應用場景�
類型:MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�120A
導通電阻(典型值)�1.4mΩ
柵極電荷�105nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝:LFPAK88
GA1206Y393JBABR31G 提供了非常低的導通電阻,從而減少了傳導損耗并提高了系�(tǒng)效率�
此外,該器件的高開關(guān)速度使其能夠在高頻應用中保持較低的開�(guān)損��
其堅固的�(shè)計和寬廣的工作溫度范圍確保了在各種環(huán)境條件下的可靠運��
LFPAK88 封裝進一步增強了散熱能力,使得該器件適用于高功率密度的設(shè)��
� MOSFET 廣泛應用于開�(guān)電源、電機驅(qū)�、工�(yè)自動化設(shè)備以及電動汽車相�(guān)的電力電子系�(tǒng)�
由于其大電流處理能力和高頻性能,它特別適合需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合�
此外,它還被用于負載切換、逆變器設(shè)計以及其他需要快速響應和低損耗的電力控制場景�
GA1206Y393JBAR31G