GA1206Y393KBBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻�(yīng)用中提供高效率和良好的熱性能�
其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝工�,能夠有效降低系�(tǒng)�(shè)�(jì)的空間需求。此�,該器件還具備出色的耐浪涌能力和過流保護(hù)特性,使其在惡劣的工作�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定運(yùn)行�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
總功�(Ptot)�78W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝:TO-252(DPAK)
柵極電荷(Qg)�70nC
GA1206Y393KBBBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))使得傳�(dǎo)損耗顯著降�,從而提升整體系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷(Qg)使其非常適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
3. 高額定電流能力(Id=30A)支持大功率�(fù)載的需��
4. 良好的熱性能確保了器件在高功率下的長(zhǎng)期穩(wěn)定��
5. 提供過流保護(hù)和短路保�(hù)功能,增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
這些特點(diǎn)共同作用,使該器件成為多種電力電子應(yīng)用的理想選擇�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 汽車電子中的各種�(qū)�(dòng)和控制電��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
通過利用其低�(dǎo)通電阻和高效率特�,可以在上述�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)性能和更低的能��
IRF3205
FDP5800
AON6210