GA1206Y393MXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高耐壓特性和快速開(kāi)�(guān)速度等特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該型�(hào)是專(zhuān)為高功率密度�(yīng)用設(shè)�(jì)的增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景。其封裝形式通常為表面貼裝類(lèi)�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�80nC
總電容:450pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206Y393MXABR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,支持高�(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足大功率�(yīng)用場(chǎng)景需��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,具有較低的柵極電荷和輸出電�,從而減少開(kāi)�(guān)損耗�
4. 寬廣的工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境下的運(yùn)行要��
5. 先�(jìn)的封裝技�(shù),提供優(yōu)異的熱管理和電氣連接性能�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這款功率 MOSFET 被廣泛用于多種工�(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中,典型應(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 新能源汽�(chē)中的 DC/DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)(BMS��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和功率控制模塊�
5. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
由于其高電流能力和低�(dǎo)通電阻,該器件在高效率和高功率密度的�(shè)�(jì)中表�(xiàn)出色�
GA1206Y393MXABR31H, IRF540N, FDP158N10ATX