GA1206Y562JBJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于中高壓場景下的功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載控�。其出色的熱性能和耐用性設(shè)�(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
型號:GA1206Y562JBJBR31G
類型:N 溝道 MOSFET
最大漏源電� Vds�600V
最大柵源電� Vgs:�20V
最大連續(xù)漏電� Id�12A
�(dǎo)通電� Rds(on)�0.18Ω(典型�,Vgs=10V�
功耗:43W
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +150�
1. 高耐壓能力,支持高�(dá) 600V 的漏源電�,適合各種高壓應(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),在額定條件下僅� 0.18Ω,從而減少導(dǎo)通損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)性能,具備較低的柵極電荷和輸出電荷,有助于實(shí)�(xiàn)高頻操作�
4. 具備�(yōu)異的雪崩擊穿能力和魯棒性,可應(yīng)對瞬�(tài)過載或短路情��
5. 熱阻較低,能有效散發(fā)熱量,確保長期穩(wěn)定運(yùn)��
6. 工作溫度范圍寬廣 (-55� � +150�),適�(yīng)各種�(huán)境條件�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率級控��
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(fù)載切��
5. 工業(yè)�(shè)備中的電磁閥和繼電器�(qū)�(dòng)�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率管理�
7. 各種需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��
IRFP460, STP12NK60Z, FDP12N60C