時(shí)間：2025/6/9 13:13:33
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GA1206Y562JBJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，適用于中高壓場景下的功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載控制。其出色的熱性能和耐用性設(shè)計(jì)使其能夠在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
型號：GA1206Y562JBJBR31G
類型：N 溝道 MOSFET
最大漏源電壓 Vds：600V
最大柵源電壓 Vgs：±20V
最大連續(xù)漏電流 Id：12A
導(dǎo)通電阻 Rds(on)：0.18Ω（典型值，Vgs=10V）
功耗：43W
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
1. 高耐壓能力，支持高達(dá) 600V 的漏源電壓，適合各種高壓應(yīng)用場景。
2. 低導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，在額定條件下僅為 0.18Ω，從而減少導(dǎo)通損耗并提高效率。
3. 快速開關(guān)性能，具備較低的柵極電荷和輸出電荷，有助于實(shí)現(xiàn)高頻操作。
4. 具備優(yōu)異的雪崩擊穿能力和魯棒性，可應(yīng)對瞬態(tài)過載或短路情況。
5. 熱阻較低，能有效散發(fā)熱量，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 工作溫度范圍寬廣 (-55℃ 至 +150℃)，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開關(guān)管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率級控制。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的負(fù)載切換。
5. 工業(yè)設(shè)備中的電磁閥和繼電器驅(qū)動(dòng)。
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)中的功率管理。
7. 各種需要高效功率開關(guān)的應(yīng)用場景。
IRFP460, STP12NK60Z, FDP12N60C
