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GA1206Y562KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 16:58:23 查看 閱讀：13

GA1206Y562KBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
　　該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET，其設(shè)計(jì)旨在滿足高效率電力轉(zhuǎn)換需求。通過(guò)優(yōu)化的單元結(jié)構(gòu)和封裝技術(shù)，GA1206Y562KBBBR31G能夠在高頻工作條件下保持較低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：40A
　　導(dǎo)通電阻：1.2mΩ
　　柵極電荷：75nC
　　輸入電容：2200pF
　　最大功耗：180W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃

特性

GA1206Y562KBBBR31G的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在典型工作條件下僅為1.2mΩ，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，具有較小的柵極電荷和輸出電荷，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 強(qiáng)大的散熱性能，支持高功率密度設(shè)計(jì)。
　　4. 增強(qiáng)的雪崩能力和魯棒性，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
　　5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 支持表面貼裝技術(shù)（SMD），便于自動(dòng)化生產(chǎn)和緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

GA1206Y562KBBBR31G廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和主開(kāi)關(guān)。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，特別是在高效率降壓或升壓拓?fù)渲小?br>　　3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 工業(yè)控制和自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
　　5. 新能源領(lǐng)域如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分。

替代型號(hào)

IRF740,
　　STP40NF06,
　　FDP5500,
　　AO4402

ga1206y562kbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1206（3216 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬（3.20mm x 1.60mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.067"（1.70mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-