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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y562MXLBT31G

GA1206Y562MXLBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 20:30:00 查看 閱讀�15

GA1206Y562MXLBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能。它支持高頻�(kāi)�(guān)操作,并能夠承受較高的電壓和電流�(fù)�,非常適合需要高效能和穩(wěn)定性的電子系統(tǒng)�
  該芯片的主要特點(diǎn)是其�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)和增�(qiáng)的抗雪崩能力,這使得其在惡劣的工作�(huán)境下也能保持良好的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y562MXLBT31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  柵極電荷(Qg)�80nC
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y562MXLBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高整體效率�
  2. 高電流承載能力,可支持高�(dá)30A的連續(xù)漏極電流�
  3. 改�(jìn)的熱性能,使其能夠在高功率密度的�(yīng)用中�(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度,適用于高頻電路�(shè)�(jì)�
  5. 出色的抗雪崩能力,增�(qiáng)了器件的魯棒性和可靠��
  6. 廣泛的工作溫度范�,確保了其在極端�(huán)境下的適�(yīng)��
  7. 封裝�(jiān)固可�,便于散熱管��

�(yīng)�

GA1206Y562MXLBT31G 的典型應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)或同步整流器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. �(fù)載開(kāi)�(guān),在電池供電�(shè)備中�(shí)�(xiàn)高效的電源管理�
  4. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
  5. 逆變器和UPS不間斷電源系�(tǒng)�
  6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  7. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP5800

ga1206y562mxlbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-