GA1206Y563KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
該型�(hào)屬于功率半導(dǎo)體家�,專為中高壓�(yīng)用場景設(shè)�(jì),支持快速開�(guān)和高電流處理能力,同�(shí)具備良好的抗電磁干擾性能�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
電壓等級(jí)�600V
持續(xù)漏極電流�31A
�(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
柵極電荷�75nC
開關(guān)�(shí)間:ton=35ns,toff=28ns
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y563KBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻工作場�,減少開�(guān)損耗�
3. 高耐壓能力�600V�,適用于多種工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)��
4. �(yōu)秀的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)的可靠��
6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱管理,適合表面貼裝和手�(dòng)焊接�
該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),例如適配器和充電器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,適用于家用電器和工�(yè)�(shè)備�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)元件�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
5. 汽車電子�(yīng)用,例如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)和制動(dòng)系統(tǒng)�
6. 工業(yè)自動(dòng)化和過程控制中的功率�(diào)節(jié)模塊�
IRFP260N
STP30NF60
FDP18N60C
IXFN60N30P