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GA1206Y563KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/19 16:53:24 查看 閱讀�24

GA1206Y563KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能等特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求�
  該型�(hào)屬于功率半導(dǎo)體家�,專為中高壓�(yīng)用場景設(shè)�(jì),支持快速開�(guān)和高電流處理能力,同�(shí)具備良好的抗電磁干擾性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  電壓等級(jí)�600V
  持續(xù)漏極電流�31A
  �(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=35ns,toff=28ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y563KBABT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效降低功�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻工作場�,減少開�(guān)損耗�
  3. 高耐壓能力�600V�,適用于多種工業(yè)及汽車級(jí)�(yīng)��
  4. �(yōu)秀的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保�(hù),提高了系統(tǒng)的可靠��
  6. 封裝�(jiān)固耐用,便于散熱管理,適合表面貼裝和手�(dòng)焊接�

�(yīng)�

該芯片廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),例如適配器和充電器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,適用于家用電器和工�(yè)�(shè)備�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)開關(guān)元件�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  5. 汽車電子�(yīng)用,例如電動(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)和制動(dòng)系統(tǒng)�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化和過程控制中的功率�(diào)節(jié)模塊�

替代型號(hào)

IRFP260N
  STP30NF60
  FDP18N60C
  IXFN60N30P

ga1206y563kbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-