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GA1206Y563MXABR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 17:01:33 查看 閱讀�8

GA1206Y563MXABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該芯片適用于各種電源管理應(yīng)用,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負(fù)載切換等場景�
  該器件支持高頻工作環(huán)�,并且能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)�,可以有效降低寄生電感并提高整體效率�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  極性:N-Channel
  Vds(漏源擊穿電壓)�120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
  Id(連續(xù)漏極電流):78A
  Qg(柵極電荷)�55nC
  Eoss(輸出電容能量損耗)�93μJ
  FOM(品�(zhì)因數(shù),Rds(on)*Qg):0.25mΩ-nC
  封裝:TO-247-3L

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場��
  3. 出色的熱�(wěn)定性設(shè)�,確保在高電流運行條件下具備良好的散熱能��
  4. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C�+175°C�,適合極端環(huán)境下的使��
  5. 具備增強型短路保護功�,�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
  7. �(nèi)部集成ESD保護電路,增強了抗靜電能��

�(yīng)�

1. 工業(yè)級DC-DC�(zhuǎn)換器及開�(guān)電源模塊�
  2. 大功率電機驅(qū)動控制器�
  3. 電動車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
  4. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  5. 可再生能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
  6. 快速充電適配器和其他消費類電子�(chǎn)品中的高效電源解決方��
  7. LED�(qū)動電路以及其他需要大電流處理的應(yīng)用場��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5800
  AOT280
  STP10NK120Z

ga1206y563mxabr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-