GA1206Y563MXABR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。該芯片適用于各種電源管理應(yīng)用,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負(fù)載切換等場景�
該器件支持高頻工作環(huán)�,并且能夠在較寬的工作電壓范圍內(nèi)保持�(wěn)定性能。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)�,可以有效降低寄生電感并提高整體效率�
類型:功率MOSFET
極性:N-Channel
Vds(漏源擊穿電壓)�120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
Id(連續(xù)漏極電流):78A
Qg(柵極電荷)�55nC
Eoss(輸出電容能量損耗)�93μJ
FOM(品�(zhì)因數(shù),Rds(on)*Qg):0.25mΩ-nC
封裝:TO-247-3L
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低傳導(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場��
3. 出色的熱�(wěn)定性設(shè)�,確保在高電流運行條件下具備良好的散熱能��
4. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C�+175°C�,適合極端環(huán)境下的使��
5. 具備增強型短路保護功�,�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛封��
7. �(nèi)部集成ESD保護電路,增強了抗靜電能��
1. 工業(yè)級DC-DC�(zhuǎn)換器及開�(guān)電源模塊�
2. 大功率電機驅(qū)動控制器�
3. 電動車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
4. 服務(wù)器和通信�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
5. 可再生能源領(lǐng)�,如太陽能逆變器和�(fēng)力發(fā)電控制器�
6. 快速充電適配器和其他消費類電子�(chǎn)品中的高效電源解決方��
7. LED�(qū)動電路以及其他需要大電流處理的應(yīng)用場��
IRFZ44N
FDP5800
AOT280
STP10NK120Z