GA1206Y563MXABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能�,從而確保了高效率和良好的散熱性能�
這款功率MOSFET具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷的特�,能夠在高頻應用中表�(xiàn)出色。同�,其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,以適應緊湊型電路板布局需��
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�31A
導通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷(典型值)�85nC
輸入電容�2280pF
總功耗:17W
工作溫度范圍�-55� � +175�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應用場��
3. 高電流處理能力,適用于大功率負載�(qū)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
5. 小尺寸封裝設(shè)�,便于在空間受限的應用中使用�
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
7. �(nèi)置ESD保護功能,增強了�(chǎn)品的可靠��
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
3. 電機�(qū)動及控制電路中的功率開關(guān)�
4. 大功� LED 照明�(qū)動電��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
6. 汽車電子系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應用場��
IRF3710, FDP5500, AON6972