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GA1206Y563MXABT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 17:50:04 查看 閱讀�15

GA1206Y563MXABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(lǐng)域。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能�,從而確保了高效率和良好的散熱性能�
  這款功率MOSFET具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷的特�,能夠在高頻應用中表�(xiàn)出色。同�,其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化設(shè)�,以適應緊湊型電路板布局需��

參數(shù)

類型:N溝道增強� MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�31A
  導通電阻(典型值)�4.5mΩ
  柵極電荷(典型值)�85nC
  輸入電容�2280pF
  總功耗:17W
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應用場��
  3. 高電流處理能力,適用于大功率負載�(qū)��
  4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
  5. 小尺寸封裝設(shè)�,便于在空間受限的應用中使用�
  6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
  7. �(nèi)置ESD保護功能,增強了�(chǎn)品的可靠��

應用

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流 MOSFET�
  3. 電機�(qū)動及控制電路中的功率開關(guān)�
  4. 大功� LED 照明�(qū)動電��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  6. 汽車電子系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)部分�
  7. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應用場��

替代型號

IRF3710, FDP5500, AON6972

ga1206y563mxabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-