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GA1206Y682KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 17:44:17 查看 閱讀�19

GA1206Y682KBABT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供高效能表�(xiàn)�
  此型號屬于功� MOSFET 類型,采用先�(jìn)的制程工藝設(shè)�(jì),確保其在各種工況下具備可靠的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�37nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=12ns, toff=9ns
  �(jié)溫范圍:-55� � 150�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y682KBABT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳�(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,例如開�(guān)電源� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. �(qiáng)大的散熱能力,支持長�(shí)間運(yùn)行于較高溫度條件��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能力,增強(qiáng)可靠��
  5. 支持大電流連續(xù)工作,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電路��

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)�(jì)�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電動工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)動�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

ga1206y682kbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-