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GA1206Y682KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/12 17:44:17 查看 閱讀:19

GA1206Y682KBABT31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定性,能夠在高頻開關(guān)應(yīng)用中提供高效能表現(xiàn)。
  此型號屬于功率 MOSFET 類型,采用先進(jìn)的制程工藝設(shè)計(jì),確保其在各種工況下具備可靠的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  持續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:37nC
  開關(guān)時(shí)間:ton=12ns, toff=9ns
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 150℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206Y682KBABT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,例如開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  3. 強(qiáng)大的散熱能力,支持長時(shí)間運(yùn)行于較高溫度條件下。
  4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,提高器件的抗靜電能力,增強(qiáng)可靠性。
  5. 支持大電流連續(xù)工作,適用于高功率密度的設(shè)計(jì)需求。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電路中。

應(yīng)用

這款芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和適配器設(shè)計(jì)。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和降壓/升壓電路。
  3. 電動工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。

替代型號

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

ga1206y682kbabt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-