GA1206Y682KXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為T(mén)O-263,適合表面貼裝,能夠有效提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
該型號(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適用于需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流:45A
導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
總柵極電荷:85nC
輸入電容:2200pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損耗。
2. 高開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用。
3. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期工作。
4. 內(nèi)置反向二極管,提供額外的保護(hù)功能。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流元件。
3. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理和控制模塊。
IRFZ44N
STP45NF06L
FDP5500
IXYS GZ100N06SBD