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GA1206Y682KXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 9:12:48 查看 閱讀:18

GA1206Y682KXCBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為需要高效率和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有出色的開關(guān)特性和較低的功耗,適用于各種電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
  這款器件支持高頻開關(guān)操作,同時(shí)保持了較低的柵極電荷和輸出電容,有助于提高整體系統(tǒng)的效率。此外,它還具備優(yōu)異的熱性能和可靠性,能夠適應(yīng)嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y682KXCBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  額定電壓:650V
  額定電流:40A
  導(dǎo)通電阻(最大):25mΩ
  C
  總電容(輸入電容):1200pF
  工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1206Y682KXCBR31G的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,最高可達(dá)650V,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)合。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為25mΩ,可有效降低導(dǎo)通損耗。
  3. 支持高頻開關(guān)操作,柵極電荷小,開關(guān)速度更快。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,能在寬溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  5. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升了芯片的抗靜電能力。
  6. 封裝形式堅(jiān)固耐用,易于散熱管理。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及升壓/降壓電路。
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制與保護(hù)。
  6. 各種高壓、大電流的電力電子應(yīng)用。

替代型號(hào)

GA1206Y682KXCBR31H
  IRFP460
  FQP50N06L

ga1206y682kxcbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-