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GA1206Y683JXABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 9:30:41 查看 閱讀�10

GA1206Y683JXABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有卓越的電氣特性和熱性能,適合用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他功率管理�(yīng)用。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)省電路板空間,同�(shí)具備出色的散熱能��
  該芯片屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET,通過(guò)�(yōu)化柵極電荷和�(dǎo)通電阻參�(shù),顯著提高了系統(tǒng)效率并降低了功耗�

參數(shù)

類型:MOSFET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  漏源電壓(Vds):60 V
  柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):120 A
  總功耗:160 W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3
  輸入電容(Ciss):3250 pF
  輸出電容(Coss):120 pF
  反向恢復(fù)�(shí)間(trr):45 ns

特�

GA1206Y683JXABT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,可支持大功率應(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損��
  4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),改善動(dòng)�(tài)性能�
  5. 良好的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  7. 提供出色� ESD 保護(hù)功能,提高抗干擾能力�

�(yīng)�

該型�(hào)廣泛�(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  3. 新能源汽車中� DC-DC �(zhuǎn)換器
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 不間斷電源(UPS�
  6. LED �(qū)�(dòng)�
  7. 各類工業(yè)自動(dòng)化控制系�(tǒng)

替代型號(hào)

GA1206Y683JXABT32G, IRF540N, FDP5500

ga1206y683jxabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-