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GA1206Y683MXBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:58:12 查看 閱讀�12

GA1206Y683MXBBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升電路效率并降低功耗�
  該器件為 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適合在高電流和高電壓環(huán)境下工作,其封裝形式通常為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型化表面貼裝類型,便于在�(xiàn)代電子設(shè)備中�(shí)�(xiàn)高密度集��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�31A
  �(dǎo)通電阻:3.5mΩ
  柵極電荷�95nC
  �(kāi)�(guān)速度:超�
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206Y683MXBBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少導(dǎo)通損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,降低開(kāi)�(guān)損��
  3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能一��
  4. �(nèi)置靜電保�(hù)功能,增�(qiáng)器件的抗干擾能力�
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于節(jié)� PCB 空間�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于通過(guò)�(guó)際認(rèn)證�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
  由于其出色的電氣特性和可靠�,該芯片成為許多高效能電子系�(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

IRF3205
  AO3400
  FDP5500

ga1206y683mxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-