GA1206Y684JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能等特�(diǎn),適用于各種需要高效能�(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
該芯片的主要特點(diǎn)是其出色的電氣特性和可靠�,能夠顯著提升電路效率并降低功耗。此�,它還具備強(qiáng)大的抗干擾能力以及過流保�(hù)功能,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
類型:MOSFET
封裝:TO-252
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.8A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ(典型值,Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�15W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
柵極電荷(Qg)�30nC
GA1206Y684JBXBT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,適合開�(guān)電源及DC-DC�(zhuǎn)換器等場合�
3. �(qiáng)大的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能輸出�
4. �(nèi)置過流保�(hù)�(jī)�,增�(qiáng)系統(tǒng)的安全性和可靠��
5. 封裝形式緊湊,便于PCB布局和焊接操��
6. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條件下的使用需��
這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) 中作為主開關(guān)管或同步整流管�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)動電路中提供大電流驅(qū)動能力�
4. 各類�(fù)載切換和保護(hù)電路中的�(guān)鍵元��
5. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換模塊�
6. 汽車電子�(shè)備中的電源管理系�(tǒng)�
IRFZ44N, FDP5500, AO3400