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GA1206Y684MBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 18:13:36 查看 閱讀:6

GA1206Y684MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  這款器件通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),在熱性能和電氣性能上表現(xiàn)優(yōu)異,適用于需要高效能和高可靠性的電子設(shè)備中。

參數(shù)

類型:MOSFET
  封裝:TO-263
  VDS(漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
  ID(持續(xù)漏電流):90A
  Qg(柵極電荷):75nC
  fT(截止頻率):1.6MHz
  工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃

特性

GA1206Y684MBJBT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),可以有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
  2. 高開關(guān)速度,使得其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)減少開關(guān)損耗。
  3. 強(qiáng)大的電流承載能力,支持高達(dá) 90A 的持續(xù)漏電流,適應(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),確保在高負(fù)載條件下具備良好的散熱能力。
  5. 寬廣的工作溫度范圍,使其能在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,滿足國(guó)際環(huán)保要求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,具體包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于提供高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,特別是在工業(yè)控制和消費(fèi)類電器中的無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
  3. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng),助力可再生能源領(lǐng)域的能量轉(zhuǎn)換與管理。
  4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 和制動(dòng)能量回收系統(tǒng)。
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。

替代型號(hào)

IRF640N
  STP90NE60
  FDP16N60E

ga1206y684mbjbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-