GA1206Y684MBJBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
這款器件通過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì),在熱性能和電氣性能上表現(xiàn)優(yōu)異,適用于需要高效能和高可靠性的電子設(shè)備中。
類型:MOSFET
封裝:TO-263
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ
ID(持續(xù)漏電流):90A
Qg(柵極電荷):75nC
fT(截止頻率):1.6MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
GA1206Y684MBJBT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),可以有效減少導(dǎo)通損耗,提高整體效率。
2. 高開關(guān)速度,使得其能夠在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,同時(shí)減少開關(guān)損耗。
3. 強(qiáng)大的電流承載能力,支持高達(dá) 90A 的持續(xù)漏電流,適應(yīng)大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 優(yōu)化的熱性能設(shè)計(jì),確保在高負(fù)載條件下具備良好的散熱能力。
5. 寬廣的工作溫度范圍,使其能在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,滿足國(guó)際環(huán)保要求。
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子設(shè)備中,具體包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,用于提供高效的電壓轉(zhuǎn)換功能。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,特別是在工業(yè)控制和消費(fèi)類電器中的無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)景。
3. 太陽(yáng)能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng),助力可再生能源領(lǐng)域的能量轉(zhuǎn)換與管理。
4. 汽車電子系統(tǒng),如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 和制動(dòng)能量回收系統(tǒng)。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
IRF640N
STP90NE60
FDP16N60E