GA1206Y821KBCBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換等應用�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具備低導通電�、高效率和出色的熱性能,能夠滿足各種工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的嚴格要求�
此型號是高度�(yōu)化的 N 溝道增強� MOSFET,具有極低的導通損耗和快速的開關(guān)特性,適合高頻開關(guān)電路設計�
類型:N溝道增強� MOSFET
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
導通電�(Rds(on))�2.9mΩ
柵極電荷(Qg)�77nC
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y821KBCBT31G 具備以下主要特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)) 可顯著降低傳導損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應用場��
3. �(yōu)秀的熱性能設計,確保在高功率條件下保持�(wěn)定運行�
4. �(nèi)置反向二極管,可有效防止反向電流沖擊�
5. 支持寬范圍的工作溫度,適應各種惡劣環(huán)境條��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
該芯片廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動控制,包括無刷直流電機 (BLDC) 和步進電��
3. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
5. 電動汽車和混合動力汽車的動力系統(tǒng)�
6. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)設備�
IRF540N
FDP5570
STP55NF06L