GA1206Y821MXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的場�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)��
這款芯片具有出色的熱�(wěn)定性和電氣特性,廣泛用于工業(yè)�(shè)�、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及通信�(lǐng)域中的功率轉(zhuǎn)換器、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器等�
類型:功率MOSFET
封裝形式:TO-263 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
功耗:10W
GA1206Y821MXLBR31G 的關(guān)鍵特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,減少開�(guān)損�,適用于高頻操作�(huán)��
3. 高電流承載能力,支持高達(dá)15A的連續(xù)漏極電流�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性設(shè)�(jì),能夠在極端溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�
5. 耐雪崩能量強(qiáng),確保在異常情況下依然保持穩(wěn)定工��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保且無鉛材料,滿足國際環(huán)保要��
該芯片適用于以下典型�(yīng)用場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中作為主開關(guān)管或同步整流管使用�
2. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和升降壓�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制模��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理與保�(hù)電路�
6. 光伏逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換部��
IRFZ44N, FQP17N06, AO3400