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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y822JXBBT31G

GA1206Y822JXBBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:16:30 查看 閱讀�3

GA1206Y822JXBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能�
  其封裝形式和電氣特性使其非常適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)�。此�,該器件還具備優(yōu)異的抗靜電能�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

型號(hào):GA1206Y822JXBBT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�6A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�45mΩ
  總柵極電�(Qg)�30nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

GA1206Y822JXBBT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少�(dǎo)通損耗并提高整體效率�  3. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫條件下仍能保持良好的性能�
  5. �(qiáng)大的抗靜電能�(ESD保護(hù)),增�(qiáng)了器件的可靠��
  6. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊的空間內(nèi)�(jìn)行布局和安裝�
  這些特點(diǎn)使得該芯片成為多種電力電子應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1206Y822JXBBT31G適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流元件�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  由于其卓越的性能和可靠�,這款MOSFET特別適合�(duì)效率和熱管理有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FQP50N06L
  STP55NF06L

ga1206y822jxbbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-