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GA1206Y822KXBBR31G 發(fā)布時間 時間:2025/6/3 9:22:01 查看 閱讀:9

GA1206Y822KXBBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換等應用領域。該器件采用了先進的半導體制造工藝,具有低導通電阻、高開關速度以及出色的熱性能。
  這款功率MOSFET適用于要求高效能和低功耗的設計場合,能夠在較高的電流負載下保持較低的能量損耗。

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流:6A
  導通電阻:8.2mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷:45nC(最大值)
  開關頻率:高達500kHz
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-220

特性

GA1206Y822KXBBR31G 具有以下主要特性:
  1. 低導通電阻(Rds(on)),能夠有效降低功率損耗。
  2. 高擊穿電壓,確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  3. 快速開關特性,適合高頻開關應用。
  4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性,可承受較寬的工作溫度范圍。
  5. 內置過流保護功能,提高系統(tǒng)的可靠性和安全性。
  6. 封裝設計緊湊,便于安裝和散熱。

應用

該元器件廣泛應用于多種電力電子領域:
  1. 開關模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電器。
  2. DC-DC轉換器,如降壓或升壓電路。
  3. 電機控制與驅動,例如無刷直流電機驅動。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
  6. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)的功率調節(jié)單元。

替代型號

IRFZ44N
  STP90NF06L
  FDP5500
  AO3400A

ga1206y822kxbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-