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GA1206Y822KXJBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 9:23:00 查看 閱讀�10

GA1206Y822KXJBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等場景。該芯片采用了先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,從而提高了效率并降低了功耗�
  這款MOSFET為N溝道增強型器�,適合在高頻�(yīng)用中使用。其封裝形式和電氣特性使其成為工�(yè)和消費電子領(lǐng)域的理想選擇�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

GA1206Y822KXJBR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高電流處理能力,適用于大功率�(yīng)��
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻電路設(shè)��
  4. 強大的熱�(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠運行�
  5. 具備良好的靜電防護能�,提高了�(chǎn)品的耐用��
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. 電機�(qū)動與控制
  3. 工業(yè)逆變�
  4. 電動汽車充電系統(tǒng)
  5. LED�(qū)動器
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源管�
  由于其出色的性能和可靠�,GA1206Y822KXJBR31G成為了許多工程師�(shè)計高效率功率�(zhuǎn)換電路時的首選�

替代型號

IRFZ44N
  STP160N10
  FDP5500

ga1206y822kxjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-