時間：2025/5/22 16:51:40
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GA1206Y823JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等場景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，適合需要高效能和快速開關(guān)速度的應(yīng)用場合。
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件，其設(shè)計(jì)旨在優(yōu)化靜態(tài)和動態(tài)性能參數(shù)，從而提高整體系統(tǒng)效率并降低功耗。它具有出色的熱穩(wěn)定性和魯棒性，能夠承受較高的電流和電壓瞬變。
最大漏源電壓：120V
連續(xù)漏極電流：6A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：45mΩ
柵極電荷：17nC
總電容（Ciss）：980pF
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高頻應(yīng)用，降低開關(guān)損耗。
3. 優(yōu)異的熱性能，允許更高的功率密度和更小的散熱設(shè)計(jì)。
4. 強(qiáng)大的雪崩能量能力，提高了器件在異常條件下的可靠性。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且無鉛設(shè)計(jì)。
6. 小型封裝設(shè)計(jì)，節(jié)省PCB空間，同時保持良好的電氣性能。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動與控制
4. 電池管理與保護(hù)電路
5. 汽車電子中的負(fù)載開關(guān)
6. 通信設(shè)備中的電源管理模塊
IRFZ44N
FDP18N10
STP10NK60Z
