GA1206Y823JBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適合需要高效能和快速開�(guān)速度的應(yīng)用場合�
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,其�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化靜�(tài)和動�(tài)性能參數(shù),從而提高整體系�(tǒng)效率并降低功�。它具有出色的熱�(wěn)定性和魯棒性,能夠承受較高的電流和電壓瞬變�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):45mΩ
柵極電荷�17nC
總電容(Ciss):980pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. �(yōu)異的熱性能,允許更高的功率密度和更小的散熱�(shè)�(jì)�
4. �(qiáng)大的雪崩能量能力,提高了器件在異常條件下的可靠��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,同時保持良好的電氣性能�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 電池管理與保�(hù)電路
5. 汽車電子中的�(fù)載開�(guān)
6. 通信�(shè)備中的電源管理模�
IRFZ44N
FDP18N10
STP10NK60Z