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GA1206Y823JBBBT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/19 16:55:04 查看 閱讀:17

GA1206Y823JBBBT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片,屬于 NAND Flash 類型。該芯片主要應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤以及嵌入式系統(tǒng)等。其采用先進(jìn)的制程工藝,具備高讀寫速度和低功耗的特點(diǎn),同時(shí)支持多種接口協(xié)議以適應(yīng)不同的設(shè)備需求。
  該型號(hào)中的部分標(biāo)識(shí)代表了具體的規(guī)格參數(shù),例如存儲(chǔ)容量、封裝形式以及工作溫度范圍等。此外,它還具有良好的數(shù)據(jù)保持能力和耐用性,能夠滿足工業(yè)級(jí)或消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的多樣化需求。

參數(shù)

類型:NAND Flash
  存儲(chǔ)容量:128GB
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓:1.8V
  封裝形式:BGA
  I/O 引腳數(shù):31
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  擦寫壽命:3000 次(典型值)
  數(shù)據(jù)保持時(shí)間:10 年(在 25°C 下)

特性

GA1206Y823JBBBT31G 提供了卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和可靠性。首先,它的 Toggle Mode 2.0 接口確保了高速的數(shù)據(jù)傳輸速率,適用于對(duì)速度有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。其次,該芯片采用了先進(jìn)的 3D NAND 技術(shù),相比傳統(tǒng)的 2D NAND,在相同尺寸下可以提供更大的存儲(chǔ)密度。
  此外,該芯片的工作電壓較低,僅為 1.8V,有助于減少功耗并延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航時(shí)間。同時(shí),它支持較寬的工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,這使得其非常適合用于工業(yè)控制、汽車電子以及其他惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
  GA1206Y823JBBBT31G 的擦寫壽命達(dá)到 3000 次以上,足以應(yīng)對(duì)大多數(shù)日常使用場(chǎng)景。并且其數(shù)據(jù)保持能力也十分出色,在常溫條件下可保存數(shù)據(jù)長(zhǎng)達(dá)十年之久,這對(duì)于長(zhǎng)期存儲(chǔ)重要信息至關(guān)重要。

應(yīng)用

GA1206Y823JBBBT31G 廣泛應(yīng)用于各類需要高效存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)域。常見的應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
  - 固態(tài)硬盤(SSD)制造
  - USB 閃存盤及移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備
  - 嵌入式系統(tǒng)的內(nèi)部存儲(chǔ)
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備的數(shù)據(jù)記錄模塊
  - 車載信息系統(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)備
  - 消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能電視、平板電腦和數(shù)碼相機(jī)等
  由于其出色的性能和可靠性,該芯片同樣適用于對(duì)穩(wěn)定性要求極高的醫(yī)療設(shè)備、通信基站以及軍工航天等領(lǐng)域。

替代型號(hào)

GA1206Y823JBBBT32G
  GA1206Y823JBBBT30G
  GA1206Y823JBBBT33G

ga1206y823jbbbt31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-