GA1206Y823JBJBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等�(yīng)用中。該芯片具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等特�,能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
該型號屬于功� MOSFET 系列,采用先進的制造工�,確保在高電流和高電壓條件下�(wěn)定工�。此外,其封裝形式專為散熱優(yōu)化設(shè)�,適用于對功率密度和熱管理有較高要求的應(yīng)用場景�
類型:N溝道 MOSFET
漏源極擊穿電壓:60V
最� drain 電流�120A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
GA1206Y823JBJBT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻使其在大電流應(yīng)用中減少功耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)能力可滿足高頻電路需�,降低開�(guān)損耗�
3. �(yōu)秀的熱性能有助于提高系�(tǒng)的穩(wěn)定性及可靠��
4. �(nèi)� ESD 保護機制以增強抗靜電能力�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)生產(chǎn)需��
6. 封裝�(jīng)過特別設(shè)�,能夠有效進行熱量散發(fā),保證長時間運行的安全��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. 工業(yè)電機�(qū)動中的功率級控制�
3. 新能源系�(tǒng)中的 DC-DC � DC-AC �(zhuǎn)換模塊�
4. 電動汽車和混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)�
5. 各類負載切換和保護電��
由于其出色的電氣性能和可靠性,該型號成為許多高功率電子�(shè)備的理想選擇�
GA1206Y822JBJBT31G, IRF740, FDP5500