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GA1210A102GXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:55:50 查看 閱讀�11

GA1210A102GXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)域。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻�(yīng)用中提供出色的效率和可靠��
  這款器件通常用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、LED �(qū)�(dòng)器、電池充電器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合空間受限且�(duì)散熱要求較高的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

型號(hào):GA1210A102GXAAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  工作電壓(Vdss)�120V
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�10mΩ(典型�,Vgs=10V�
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  柵極電荷(Qg)�55nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 1MHz
  封裝形式:TO-263 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210A102GXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)�,能夠減少電磁干� (EMI) 并優(yōu)化動(dòng)�(tài)響應(yīng)�
  3. 具備�(qiáng)大的過流保護(hù)能力,提高了系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�
  4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),有助于改善散熱性能�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材料制��
  6. 支持多種保護(hù)功能,例如過溫保�(hù)和短路保�(hù),增�(qiáng)了在極端條件下的耐用性�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
  2. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電機(jī)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信�(hào)隔離與功率傳��
  4. 通信�(shè)備中的電源模塊設(shè)�(jì)�
  5. 太陽(yáng)能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)的功率調(diào)節(jié)單元�
  6. 高效 LED �(qū)�(dòng)電路中的�(guān)鍵元��

替代型號(hào)

GA1210A102GXAAT31, IRFZ44N, FDP5580

ga1210a102gxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1000 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-