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GA1210A121GBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 22:20:11 查看 閱讀:17

GA1210A121GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特性。
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其封裝形式和電氣參數(shù)使其非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計(jì)。

參數(shù)

型號(hào):GA1210A121GBAAR31G
  類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):1200V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(導(dǎo)通電阻(Rds(on)):120mΩ
  功耗:120W
  工作溫度范圍:-55℃至+150℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210A121GBAAR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,可支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有效降低功率損耗,提高整體效率。
  3. 快速開(kāi)關(guān)特性,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。
  4. 優(yōu)異的熱性能設(shè)計(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端環(huán)境條件下的使用需求。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

該功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制模塊。
  4. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的功率管理部分。
  5. 各種需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

GA1210A122GBAAR31G, IRFP460, STW12NM120

ga1210a121gbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-