型號(hào)：GA1210A121GBAAR31G
　　類(lèi)型：N溝道功率MOSFET
　　最大漏源電壓（Vds）：1200V
　　最大柵源電壓（Vgs）：±20V
　　最大漏極電流（導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：120mΩ
　　功耗：120W
　　工作溫度范圍：-55℃至+150℃
　　封裝形式：TO-247

GA1210A121GBAAR31G 的主要特性包括：
　　1. 高耐壓能力，可支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
　　2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，有效降低功率損耗，提高整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)特性，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。
　　4. 優(yōu)異的熱性能設(shè)計(jì)，確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)極端環(huán)境條件下的使用需求。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

該功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，如無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制模塊。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的功率管理部分。
　　5. 各種需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。

GA1210A122GBAAR31G, IRFP460, STW12NM120