GA1210A121GBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能等特性。
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其封裝形式和電氣參數(shù)使其非常適合用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計(jì)。
型號(hào):GA1210A121GBAAR31G
類(lèi)型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大漏極電流(導(dǎo)通電阻(Rds(on)):120mΩ
功耗:120W
工作溫度范圍:-55℃至+150℃
封裝形式:TO-247
GA1210A121GBAAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,可支持高達(dá) 1200V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有效降低功率損耗,提高整體效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)特性,有助于減少開(kāi)關(guān)損耗并提升系統(tǒng)響應(yīng)速度。
4. 優(yōu)異的熱性能設(shè)計(jì),確保在高功率應(yīng)用場(chǎng)景下保持穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)極端環(huán)境條件下的使用需求。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。
該功率 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 控制器。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與控制模塊。
4. 太陽(yáng)能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備中的功率管理部分。
5. 各種需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1210A122GBAAR31G, IRFP460, STW12NM120