GA1210A122JXLAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高效率�(yīng)用而設(shè)計。該器件采用了先�(jìn)的GaN-on-Silicon技�(shù),能夠在高頻工作條件下提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�。其封裝形式通常為表面貼裝,適合于緊湊型�(shè)�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換器、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電器以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
該型號中的部分字符可能代表特定的參數(shù)或批次信�,例如電壓等�、封裝類型、頻率范圍等�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓(Vds):120V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:表面貼�
GA1210A122JXLAR31G 具備出色的高頻性能和高效的開關(guān)能力,這主要得益于其采用的氮化鎵材�。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,GaN晶體管具有更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而顯著降低了功率損��
此外,該器件還具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定的性能輸出。它支持高達(dá)�(shù)MHz的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場�,如開關(guān)電源、無線充電和電機�(qū)動等�
GaN技�(shù)的使用也使得該晶體管在尺寸上更為緊湊,便于實�(xiàn)小型化設(shè)�。同�,其高擊穿電壓和低寄生電容特性�(jìn)一步增強了系統(tǒng)的可靠性和效率�
總之,GA1210A122JXLAR31G 在高�、高效率和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�
該器件廣泛應(yīng)用于多種高效�、高頻場景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高電源�(zhuǎn)換效率和減小體積�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于需要高效率和快速響�(yīng)的電源管理系�(tǒng)�
3. 無線充電器:滿足高頻和低損耗的要求,提升充電效��
4. 電機�(qū)動:用于�(qū)動小型高效電機,特別適合無人�、機器人和其他自動化�(shè)��
5. 通信�(shè)備:如基站和射頻功率放大器,提供�(wěn)定且高效的功率輸��
6. 能量回收系統(tǒng):例如電動汽車的能量回收模塊,利用其高效率特性減少能量損��
GA1210A122JXLAR32G
GA1210A122JXLBR31G
GAN063-650WSA