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GA1210A122JXLAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 21:53:40 查看 閱讀�19

GA1210A122JXLAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高�、高效率�(yīng)用而設(shè)計。該器件采用了先�(jìn)的GaN-on-Silicon技�(shù),能夠在高頻工作條件下提供卓越的開關(guān)性能和低�(dǎo)通電�。其封裝形式通常為表面貼裝,適合于緊湊型�(shè)�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)換器、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電器以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
  該型號中的部分字符可能代表特定的參數(shù)或批次信�,例如電壓等�、封裝類型、頻率范圍等�

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  最大漏源電壓(Vds):120V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ
  柵極電荷(Qg):45nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:表面貼�

特�

GA1210A122JXLAR31G 具備出色的高頻性能和高效的開關(guān)能力,這主要得益于其采用的氮化鎵材�。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比,GaN晶體管具有更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而顯著降低了功率損��
  此外,該器件還具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定�,在高溫�(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定的性能輸出。它支持高達(dá)�(shù)MHz的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)用場�,如開關(guān)電源、無線充電和電機�(qū)動等�
  GaN技�(shù)的使用也使得該晶體管在尺寸上更為緊湊,便于實�(xiàn)小型化設(shè)�。同�,其高擊穿電壓和低寄生電容特性�(jìn)一步增強了系統(tǒng)的可靠性和效率�
  總之,GA1210A122JXLAR31G 在高�、高效率和高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,是�(xiàn)代電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于多種高效�、高頻場景,包括但不限于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于提高電源�(zhuǎn)換效率和減小體積�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于需要高效率和快速響�(yīng)的電源管理系�(tǒng)�
  3. 無線充電器:滿足高頻和低損耗的要求,提升充電效��
  4. 電機�(qū)動:用于�(qū)動小型高效電機,特別適合無人�、機器人和其他自動化�(shè)��
  5. 通信�(shè)備:如基站和射頻功率放大器,提供�(wěn)定且高效的功率輸��
  6. 能量回收系統(tǒng):例如電動汽車的能量回收模塊,利用其高效率特性減少能量損��

替代型號

GA1210A122JXLAR32G
  GA1210A122JXLBR31G
  GAN063-650WSA

ga1210a122jxlar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1200 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-