GA1210A151GBEAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,適用于各種高效率開關電源、DC-DC 轉換器和電機驅動應用。該芯片采用先進的溝槽� MOSFET 技�,具備低導通電阻和快速開關特性,能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能�
其封裝形式為行業(yè)標準 TO-263(D2PAK),具有良好的散熱性能,適合大功率應用場景�
最大漏源電壓:150V
最大連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復時間�30ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
GA1210A151GBEAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有效降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關速度,減少開關損�,適合高頻應��
3. 高雪崩能量能力,增強器件在異常條件下的可靠��
4. �(nèi)置防靜電保護功能,提高產(chǎn)品耐用��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(wěn)定的電氣性能,支持長時間�(wěn)定運行�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) � AC-DC 適配��
2. 各類 DC-DC 轉換器模��
3. 電動工具及家用電器中的電機驅��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率控制單��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關設��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和電源管理部分�
IRF2807ZPBF, FDP18N15AE, STW90N15DM2