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GA1210A151KBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 23:31:24 查看 閱讀�12

GA1210A151KBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該元器件主要應(yīng)用于需要高效率、低功耗以及快速開�(guān)特性的場景�,例如電源管理、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等�(yīng)用領(lǐng)��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的TO-263(DPAK�,具有良好的散熱性能和電氣特�,能夠滿足多種工�(yè)及消費類電子�(chǎn)品的�(shè)計需��

參數(shù)

型號:GA1210A151KBAAR31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  工作電壓(Vds):100V
  連續(xù)漏極電流(Id):15A
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2.5V ~ 4.5V
  Rds(on)(最大��25°C):7mΩ
  總功耗(Ptot):39W
  �(jié)溫范圍:-55°C ~ +175°C
  封裝形式:TO-263(DPAK�

特�

GA1210A151KBAAR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損耗并提高整體效率�
  2. 快速開�(guān)特�,支持高頻操�,適合開�(guān)電源和DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
  3. 高雪崩擊穿能量能�,增強了器件在異常條件下的可靠性�
  4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  5. 小型化封裝設(shè)�,便于PCB布局同時提供高效的散熱路��
  這些特性使得該功率MOSFET成為眾多高效能電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210A151KBAAR31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機控制與驅(qū)�
  4. �(fù)載開�(guān)
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模�
  7. 消費類電子產(chǎn)品中的充電電�
  這款功率MOSFET憑借其卓越的性能和可靠�,非常適合用于需要高效率、緊湊設(shè)計和�(wěn)定運行的各類�(yīng)用場��

替代型號

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP5802
  AON7542G

ga1210a151kbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-