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GA1210A151KXBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 15:59:47 查看 閱讀�8

GA1210A151KXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等電力電子�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
  該芯片的封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,具備良好的散熱性能和可靠�,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�65nC
  輸入電容�1200pF
  反向恢復(fù)時間�45ns
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

GA1210A151KXBAR31G采用溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu)�(shè)�,具備超低的�(dǎo)通電�,這使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和散熱性能�
  此外,其快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷也使得動態(tài)損耗得以降低,非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
  器件還擁有堅固的熱設(shè)計和電氣隔離能力,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,同時支持多種保�(hù)功能以提升系�(tǒng)可靠��

�(yīng)�

該MOSFET芯片廣泛用于各類高效能電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中,例如服�(wù)器電�、通信電源、電動汽車充電模塊以及家用電器中的變頻驅(qū)動電��
  此外,它也可以用作同步整流器、負(fù)載開�(guān)或電池管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組�,滿足不同場景下的需��

替代型號

IRFZ44N
  STP120NF10
  FDP18N12S
  AON7709

ga1210a151kxbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-