GA1210A151KXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等電力電子�(lǐng)域。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該芯片的封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,具備良好的散熱性能和可靠�,適用于各種工業(yè)和消費類電子�(chǎn)��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1200pF
反向恢復(fù)時間�45ns
工作溫度范圍�-55� to 150�
GA1210A151KXBAR31G采用溝槽式MOSFET�(jié)�(gòu)�(shè)�,具備超低的�(dǎo)通電�,這使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和散熱性能�
此外,其快速開�(guān)特性和較低的柵極電荷也使得動態(tài)損耗得以降低,非常適合高頻開關(guān)�(yīng)��
器件還擁有堅固的熱設(shè)計和電氣隔離能力,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)�,同時支持多種保�(hù)功能以提升系�(tǒng)可靠��
該MOSFET芯片廣泛用于各類高效能電力轉(zhuǎn)換設(shè)備中,例如服�(wù)器電�、通信電源、電動汽車充電模塊以及家用電器中的變頻驅(qū)動電��
此外,它也可以用作同步整流器、負(fù)載開�(guān)或電池管理系�(tǒng)中的�(guān)鍵組�,滿足不同場景下的需��
IRFZ44N
STP120NF10
FDP18N12S
AON7709