GA1210A152GBEAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先進的半導體制造工藝。該器件主要應用于開關電源需要高效開關和低導通損耗的應用場景。其設計旨在提供出色的開關特性和較低的導通電�,以實現(xiàn)更高的系�(tǒng)效率和可靠��
該型號通常用于工業(yè)和消費類電子領域,具有良好的熱性能和電氣穩(wěn)定性,適合在高功率密度�(huán)境下使用�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�150A
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
柵極電荷(Qg)�98nC
輸入電容(Ciss)�4050pF
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:D2PAK-7
GA1210A152GBEAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,支持高�150A的連續(xù)漏極電流�
3. 出色的熱性能,能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
4. 快速開關能�,有助于減少開關損��
5. 高可靠性設計,適用于嚴苛的工作�(huán)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
GA1210A152GBEAR31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅��
3. 工業(yè)設備中的逆變器和變頻��
4. 太陽能逆變器和不間斷電�(UPS)系統(tǒng)�
5. 各種類型的負載開關和保護電路�
6. 高效DC-DC轉換器的設計與實�(xiàn)�
IRF7845,
STP150N06,
FDP150AN6,
AOT150,
IXTH150N06L