GA1210A152KXCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,從而提升了整體效率和性能�
這款功率MOSFET主要針對(duì)汽車電子�(yīng)用設(shè)�(jì),符合AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),適用于�(yán)苛的工作�(huán)境,并且具備較高的可靠性和耐用��
型號(hào):GA1210A152KXCAR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
Vds(漏源極電壓):12V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Vgs(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2V�4V
f(工作頻率):高�(dá)500kHz
功耗:根據(jù)具體電路條件而定
工作溫度范圍�-40℃~175�
GA1210A152KXCAR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高電流承載能�,支持大功率�(yīng)用場(chǎng)��
4. 符合車規(guī)�(jí)AEC-Q101�(biāo)�(zhǔn),確保在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 具備出色的熱�(wěn)定性,能夠承受高溫工作�(huán)��
6. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能力�
7. 超小型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,簡(jiǎn)化布局布線�
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域如下:
1. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 大功率LED�(qū)�(dòng)��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
6. 各類需要高效功率轉(zhuǎn)換的消費(fèi)類電子產(chǎn)��
由于其強(qiáng)大的電氣性能和可靠�,特別適合對(duì)功率密度和效率要求較高的�(chǎng)��
IRF1404,
STP100NF12,
INFINEON IPW120N12S3,
FDP18N12,
AOI12S,
AON6712