GA1210A181FBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET,主要用于開關電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等應�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻和高效率的特點,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
此型號屬� N 溝道增強� MOSFET,其設計旨在滿足對高效能和小尺寸有要求的應用需��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�65nC
輸入電容�1800pF
工作�(jié)溫范圍:-55� to 175�
GA1210A181FBAAR31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在額定條件下僅� 1.8mΩ,從而減少了傳導損��
2. 快速開關能�,具備較低的柵極電荷和輸出電�,有助于減少開關損耗�
3. 高度耐用的雪崩擊穿能力和短路耐受時間,提升了器件在異常情況下的可靠性�
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適用于多種工�(yè)及消費類電子設備�
5. 提供 TO-247 封裝形式,便于散熱管理,并支持表面貼裝技術(SMT��
� MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
2. 工業(yè)級電機驅(qū)動控制電�,例如伺服電�、步進電機等�
3. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
4. 太陽能逆變器中作為功率開關使用�
5. 各種負載切換和保護電路�
GA1210A181FBAAR31T, IRF540N, FDP55N06L