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GA1210A181GBLAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/27 17:05:27 查看 閱讀�16

GA1210A181GBLAT31G 是一款高性能的功率晶體管,屬� GaN(氮化鎵)基半導(dǎo)體器�。它采用了先�(jìn)� GaN 技�(shù),能夠提供更高的效率和更快的開關(guān)速度,適用于高頻、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景。該型號(hào)專為電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及通信�(shè)備中的射頻放大器�(shè)�(jì),具有卓越的熱性能和電氣特性�

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:GaN(氮化鎵�
  額定電壓�650V
  額定電流�10A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  最大功耗:100W
  封裝形式:TO-247
  工作溫度范圍�-40� � +125�
  開關(guān)頻率:最� 10MHz

特�

GA1210A181GBLAT31G 的主要特�(diǎn)是其基于氮化鎵技�(shù)的高效性能。與傳統(tǒng)的硅基功率晶體管相比,這款器件具備更低的導(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度,從而顯著減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率�
  GaN 技�(shù)使得該芯片能夠在高頻條件下運(yùn)行,非常適合需要快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。此�,它的封裝形式優(yōu)化了散熱性能,允許在較高的結(jié)溫下�(wěn)定工��
  該芯片還具有�(yōu)異的抗電磁干擾能�,適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)�。其�(jiān)固的�(shè)�(jì)使其能夠在工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)行�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,包括但不限于:
  1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 通信基站中的射頻功率放大�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  4. 充電器和適配�
  5. 新能源汽車的車載充電�
  6. 太陽能逆變�
  這些�(yīng)用場(chǎng)景都得益� GA1210A181GBLAT31G 的高效率、低損耗和高可靠性特�(diǎn)�

替代型號(hào)

GA1210A181GBLAT32G
  GA1210A181GBLAT33G

ga1210a181gblat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-