GA1210A182FBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),從而提升了整體效率并降低了功��
這款芯片屬于溝道增強(qiáng)� MOSFET,其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類�,便于大�(guī)模生�(chǎn)及自�(dòng)化裝配流程。此外,它還具備出色的熱�(wěn)定性和抗靜電能�,能夠在惡劣�(huán)境下可靠工作�
型號(hào):GA1210A182FBAAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):50A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
總電容(Ciss):4500pF
最大功耗(Pd):200W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210A182FBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少導(dǎo)通損��
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,降低開(kāi)�(guān)損耗,適合高頻�(yīng)��
3. 高額定電流能�,能夠承受大電流�(fù)��
4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)��
5. �(qiáng)大的抗靜電能力(ESD Protection�,提高了�(chǎn)品的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,具體包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 工業(yè)逆變�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�
7. 各類需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)�