GA1210A182FBAAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),從而提升了整體效率并降低了功耗。
這款芯片屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET,其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型,便于大規(guī)模生產(chǎn)及自動(dòng)化裝配流程。此外,它還具備出色的熱穩(wěn)定性和抗靜電能力,能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作。
型號(hào):GA1210A182FBAAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):50A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
總電容(Ciss):4500pF
最大功耗(Pd):200W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210A182FBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效減少導(dǎo)通損耗。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)損耗,適合高頻應(yīng)用。
3. 高額定電流能力,能夠承受大電流負(fù)載。
4. 出色的熱性能設(shè)計(jì),確保在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 強(qiáng)大的抗靜電能力(ESD Protection),提高了產(chǎn)品的可靠性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子設(shè)備中,具體包括但不限于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 工業(yè)逆變器
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
6. 可再生能源系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊
7. 各類需要高效能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)合