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GA1210A182GBBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/3 15:24:20 查看 閱讀:16

GA1210A182GBBAR31G 是一款高性能的工業(yè)級功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及各類開關(guān)電路中。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)特性,能夠在高效率和低損耗的情況下運(yùn)行。其封裝形式適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化和高效能的需求。
  該器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,適用于需要高電流輸出和高頻開關(guān)的場景。由于其出色的電氣性能和穩(wěn)定性,這款芯片在汽車電子、通信設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中均有廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:35nC
  輸入電容:1200pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-263(D2PAK)

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)能力,支持高達(dá) 2MHz 的工作頻率。
  3. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)芯片在惡劣環(huán)境中的可靠性。
  4. 采用堅(jiān)固耐用的封裝設(shè)計(jì),具備良好的散熱性能。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
  6. 寬泛的工作溫度范圍使其適合各種工業(yè)和汽車應(yīng)用環(huán)境。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率放大元件。
  3. 各種負(fù)載切換和保護(hù)電路。
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的逆變器和控制器。
  5. 通信設(shè)備中的高頻信號處理模塊。
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理和驅(qū)動單元。

替代型號

GA1210A190GBBAR31G
  IRF3205
  STP55NF06L

ga1210a182gbbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-