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GA1210A182JXLAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 23:17:59 查看 閱讀�20

GA1210A182JXLAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動以及開關電路等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻和高效應用中表現(xiàn)出色�
  該型號屬于溝道型 MOSFET,具體參�(shù)和性能使其特別適合用于需要高效率和低功耗的設計場景�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�120A
  導通電�(Rds(on))�1.8mΩ
  總功�(Ptot)�250W
  封裝類型:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1210A182JXLAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電� Rds(on),可以有效降低導通損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高� 120A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應用場��
  3. 快速開關性能,有助于減少開關損�,適合高頻開關應用�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行�
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
  這些特性使得該器件在高效率電源轉換、電機控制和負載切換等應用中表現(xiàn)出色�

應用

� MOSFET 器件適用于多種電子應用領�,包括但不限于:
  1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關或同步整流器�
  2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  3. DC/DC 轉換器中的功率開關�
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
  其高電流處理能力和低導通電阻特性使其成為這些應用的理想選��

替代型號

GA1210A182JXLAT31,
  IRFP2907,
  FDP150N06L,
  IXFN120N06T2

ga1210a182jxlat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-