GA1210A182JXLAT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動以及開關電路等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特�,能夠在高頻和高效應用中表現(xiàn)出色�
該型號屬于溝道型 MOSFET,具體參�(shù)和性能使其特別適合用于需要高效率和低功耗的設計場景�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�120A
導通電�(Rds(on))�1.8mΩ
總功�(Ptot)�250W
封裝類型:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210A182JXLAT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� Rds(on),可以有效降低導通損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,支持高� 120A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應用場��
3. 快速開關性能,有助于減少開關損�,適合高頻開關應用�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)可靠運行�
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
這些特性使得該器件在高效率電源轉換、電機控制和負載切換等應用中表現(xiàn)出色�
� MOSFET 器件適用于多種電子應用領�,包括但不限于:
1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關或同步整流器�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. DC/DC 轉換器中的功率開關�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載開關�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
其高電流處理能力和低導通電阻特性使其成為這些應用的理想選��
GA1210A182JXLAT31,
IRFP2907,
FDP150N06L,
IXFN120N06T2