GA1210A182KBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特點,能夠有效降低能耗并提高系統(tǒng)效率�
該型號屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET 系列,其�(shè)計旨在滿足高電流密度�(yīng)用的需�,并具備良好的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�2060pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210A182KBAAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著減少傳導(dǎo)損耗,從而提升整體效��
2. 快速開�(guān)能力,適合高頻操作環(huán)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性�
4. 小尺寸封�,便� PCB 布局�(yōu)��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
6. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,提高了使用中的�(wěn)定��
此芯片適用于多種電力電子場景,例如:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的核心功率開關(guān)元件�
2. 工業(yè)用電�(jī)�(qū)動電路中的逆變器模��
3. 新能源領(lǐng)域如太陽能微逆變器和電池管理系統(tǒng) (BMS)�
4. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載點 (POL) �(zhuǎn)��
5. 汽車電子�(shè)備內(nèi)的功率管理單��
GA1210A182KBAAQ31G, IRFZ44N, FDP5570N