GA1210A182KBBAR31G 是一款高性能的 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)芯片,主要應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)電路中。該型號屬于溝道增強型器件,具備低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,廣泛用于工業(yè)、汽車和消費類電子領(lǐng)域。其設(shè)計優(yōu)化了熱性能和電氣性能,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
該芯片具有良好的耐用性和穩(wěn)定性,適合長時間運行在高溫或惡劣環(huán)境中。同時,它支持表面貼裝技術(shù)(SMT),便于自動化生產(chǎn)和大規(guī)模應(yīng)用。
類型:MOSFET
封裝:TO-263
漏源極電壓(Vds):12V
連續(xù)漏極電流(Id):100A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
柵極電荷(Qg):45nC
總功耗(Ptot):150W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
GA1210A182KBBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少功率損耗。
2. 高額定電流能力,滿足大功率應(yīng)用場景需求。
3. 快速開關(guān)速度,適用于高頻功率轉(zhuǎn)換。
4. 優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐熱沖擊性能。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
6. 表面貼裝封裝,簡化生產(chǎn)工藝并提高效率。
這些特性使其成為電機驅(qū)動、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和負載切換等應(yīng)用的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉(zhuǎn)向、制動控制和電池管理系統(tǒng)。
2. 工業(yè)設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)和驅(qū)動控制。
3. 高效 DC-DC 和 AC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計。
4. 大功率 LED 驅(qū)動電路。
5. 各種需要快速開關(guān)和低損耗的電子電路。
由于其卓越的性能,這款 MOSFET 在現(xiàn)代電子設(shè)計中備受青睞。
GA1210A185KBBAR31G, IRF1404, FDP16N12