GA1210A182KBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該器件采用先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
該芯片屬� N 溝道增強� MOSFET,支持高頻開�(guān)�(yīng)�,適用于要求高效能和高可靠性的場景�
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�65nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
GA1210A182KBLAT31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.8mΩ�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流(18A),適用于大功率�(yīng)用環(huán)��
3. 快速開�(guān)能力,適合高頻工作場景�
4. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),有助于提升散熱效率,延長器件使用壽命定性強,在寬溫度范圍內(nèi)保持�(yōu)異性能�
6. 封裝形式� TO-247,具有良好的機械強度和電氣連接可靠��
該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�,用于實�(xiàn)高效的電力轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的負載切換和保護�
5. 太陽能逆變器及其他新能源相�(guān)�(shè)��
6. 各類需要大電流、高效率的電子電路設(shè)��
IRFP2907, FDP16N10, STP18NF10