GA1210A182KXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET。該芯片主要�(yīng)用于需要高效率和低功耗的場景中,例如開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場合。其出色的導(dǎo)通電阻特性和快速開�(guān)能力使其成為眾多工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域的理想選擇�
這款器件采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供卓越的電氣性能和可靠�。它支持表面貼裝封裝技�(shù),便于自動化生產(chǎn)和優(yōu)化電路板空間利用�
型號:GA1210A182KXEAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
Vds(漏源極電壓):120V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值)�45mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):16A
Qg(總柵極電荷):40nC
Ciss(輸入電容)�2370pF
EAS(雪崩能量)�0.7J
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210A182KXEAT31G 的主要特�(diǎn)包括�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度和較低的柵極電荷 (Qg),有助于減少開關(guān)損��
3. 高擊穿電� (Vds) 和大電流處理能力 (Id),適用于多種高壓�(yīng)用環(huán)��
4. �(nèi)置雪崩保�(hù)功能,增�(qiáng)了在異常條件下的耐受能力�
5. 寬泛的工作溫度范� (-55� � +175�),適�(yīng)各種惡劣工況�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
7. 小型化封裝設(shè)�,簡化了 PCB 布局并降低了整體成本�
GA1210A182KXEAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)管或同步整流管�
2. 各類電機(jī)�(qū)動電�,如步�(jìn)電機(jī)、無刷直流電�(jī)��
3. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. LED 照明�(qū)動電��
6. 通信電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景�
GA1210A182KXEAT31G, IRFZ44N, FDP5500, STP16NF06L