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GA1210A221JXBAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/24 21:54:52 查看 閱讀：16

GA1210A221JXBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
　　這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型器件，其設(shè)計(jì)優(yōu)化了開(kāi)關(guān)特性和熱性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。同時(shí)，該芯片具有出色的可靠性和穩(wěn)定性，能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持良好的表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：120V
　　連續(xù)漏極電流：22A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：3.5mΩ
　　柵極電荷：65nC
　　輸入電容：1800pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

特性

GA1210A221JXBAR31G 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)能力，適用于高頻電路設(shè)計(jì)。
　　3. 良好的熱性能，支持更高功率密度的設(shè)計(jì)。
　　4. 內(nèi)置防靜電保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　5. 寬工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下依然可靠運(yùn)行。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。

應(yīng)用

該芯片適用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　4. 逆變器BMS）
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
　　7. 汽車電子領(lǐng)域中的負(fù)載切換和電源管理

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP150N10A
　　STP160N10F7

ga1210a221jxbar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1210（3225 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.076"（1.94mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-