GA1210A222JXAAR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等場景。該芯片采用先進的封裝技�(shù)和制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度以及出色的熱性能,適用于工業(yè)和消費類電子�(lǐng)��
型號:GA1210A222JXAAR31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ(典型�,@VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):120A
VGS(柵源極電壓):±20V
功耗:140W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210A222JXAAR31G 具備低導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
其高耐壓能力�60V)確保在嚴苛條件下穩(wěn)定運��
此外,該器件支持大電流操作(高達120A),并提供快速開�(guān)特性以適應(yīng)高頻�(yīng)用需��
卓越的散熱設(shè)計使其非常適合對溫度敏感的應(yīng)用場景�
同時,它具有較強的抗靜電能力(ESD防護�,增強了�(chǎn)品的可靠性與耐用��
這款 MOSFET 廣泛用于開關(guān)模式電源(SMPS)、直�-直流�(zhuǎn)換器、電機控制、逆變器以及各類負載開�(guān)電路�
在工�(yè)�(lǐng)�,它可以�(qū)動大型電機或作為功率�(zhuǎn)換的核心元件�
消費類電子產(chǎn)品中,如筆記本適配器、LED 照明�(qū)動和家用電器控制器中也有廣泛�(yīng)��
由于其出色的性能,GA1210A222JXAAR31G 還可以用于新能源汽車中的電池管理系統(tǒng)(BMS)以及充電基�(chǔ)�(shè)施相�(guān)�(chǎn)��
GA1210A222JXAAR31F
IRFZ44N
FDP18N60
STP120NF60