GA1210A271FBCAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
此型號屬于N溝道增強型MOSFET,廣泛適用于需要快速開�(guān)特性和高效能量傳輸?shù)�?yīng)用場��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度:超高�
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263
GA1210A271FBCAR31G 的核心優(yōu)勢在于其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和柵極電荷�(shè)計,這使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出較低的功率損��
該器件具備出色的熱穩(wěn)定�,在極端溫度條件下仍能保持高效的運行狀�(tài)�
此外,它還支持更高的開關(guān)頻率,從而減少外部元件數(shù)量并縮小整體系統(tǒng)尺寸�
得益于低反向恢復(fù)電荷的設(shè)計,該芯片特別適合于要求低電磁干擾(EMI)的場合�
這款MOSFET通常被用于開�(guān)電源適配�、電動工具的無刷直流電機�(qū)動電�、LED�(qū)動器以及各類工業(yè)控制�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
此外,由于其耐高溫特性和大電流承載能力,也常見于汽車電子�(lǐng)�,例如電動車窗控制器或空�(diào)壓縮機驅(qū)動等�(yīng)��
IRFZ44N
FDP5800
AO3400