GA1210A272JXBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電源、DC-DC轉換器和電機驅動等應用領�。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和�(wěn)定��
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,適用于中高壓場景下的高效能量轉換與管理。其封裝形式為TO-263(DPAK),能夠提供良好的散熱性能以滿足高功率應用需��
最大漏源電壓:1200V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�14A
導通電阻:0.05Ω
柵極電荷�80nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 高耐壓能力,適合高壓應用場��
2. 極低的導通電��3. 快速開關特�,減少開關損��
4. 強大的過流保護功�,提高系�(tǒng)可靠��
5. 封裝具備�(yōu)異的熱性能,確保長時間�(wěn)定運��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
1. 開關電源設計中的主開關管�
2. DC-DC轉換器中的同步整流或降壓電路�
3. 工業(yè)級電機驅動控��
4. 太陽能逆變器及其他新能源設備中的功率轉換模��
5. 各類大功率負載的開關控制�
6. 電動車及混合動力汽車中的電池管理系統(tǒng)�
IRFP460, STW13DM2H, FDP17N12