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GA1210A471GBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/28 11:04:07 查看 閱讀：13

GA1210A471GBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263（DPAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT），能夠有效減少電路板空間占用并提高散熱效率。
　　該型號(hào)的MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，能夠在高頻和大電流條件下高效運(yùn)行，同時(shí)具備良好的耐用性和穩(wěn)定性，適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　耐壓：120V
　　持續(xù)漏極電流：47A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ（典型值）
　　柵極電荷：90nC（最大值）
　　輸入電容：2800pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-263（DPAK）

特性

GA1210A471GBAAR31G的主要特性包括以下幾點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著降低功耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力，可支持高達(dá)47A的持續(xù)漏極電流，適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開關(guān)速度，確保在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
　　4. 優(yōu)秀的熱性能，結(jié)合高效的散熱設(shè)計(jì)，能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境條件。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。

應(yīng)用

這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，例如：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流器。
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路。
　　3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換與保護(hù)。
　　4. LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率轉(zhuǎn)換元件。
　　5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和電池充電解決方案。
　　6. 高效逆變器和其他需要高電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　STP40NF10L
　　FDP5570N
　　AO3400

ga1210a471gbaar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容470 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1210（3225 公制）
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.076"（1.94mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-