GA1210A471GBAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開關(guān)電源等應(yīng)用領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。其封裝形式為TO-263(DPAK),適合表面貼裝技術(shù)(SMT),能夠有效減少電路板空間占用并提高散熱效率。
該型號(hào)的MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,能夠在高頻和大電流條件下高效運(yùn)行,同時(shí)具備良好的耐用性和穩(wěn)定性,適用于工業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
耐壓:120V
持續(xù)漏極電流:47A
導(dǎo)通電阻:2.5mΩ(典型值)
柵極電荷:90nC(最大值)
輸入電容:2800pF
工作溫度范圍:-55℃至+175℃
封裝形式:TO-263(DPAK)
GA1210A471GBAAR31G的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高電流承載能力,可支持高達(dá)47A的持續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)速度,確保在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
4. 優(yōu)秀的熱性能,結(jié)合高效的散熱設(shè)計(jì),能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種嚴(yán)苛環(huán)境條件。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且可靠。
這款功率MOSFET廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制電路。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載切換與保護(hù)。
4. LED驅(qū)動(dòng)器和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率轉(zhuǎn)換元件。
5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理和電池充電解決方案。
6. 高效逆變器和其他需要高電流處理能力的應(yīng)用場(chǎng)景。
IRFZ44N
STP40NF10L
FDP5570N
AO3400