GA1210A471JBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和�(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該型號屬� N 溝道增強� MOSFET,支持高頻開�(guān)操作,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�35nC
反向恢復(fù)時間�9ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � 175�
GA1210A471JBBAT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,可顯著減小磁性元件體積�
3. 較高的雪崩能量耐受能力,確保在異常條件下仍能可靠運行�
4. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,�(jìn)一步降低了�(qū)動損��
5. 強大的散熱性能,適�(yīng)高溫�(huán)境下的長時間工作�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需��
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 各類電機�(qū)動電路,例如無刷直流電機控制��
3. 工業(yè)自動化領(lǐng)域的�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
4. 太陽能逆變器中的功率級開關(guān)元件�
5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模��
GA1210A471JBBAT28G, IRFZ44N, FDP5570N