GA1210A561JBLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn),便于集成到各種電子系統(tǒng)��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)�。它能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)�,并具備良好的電磁兼容性(EMC)特��
型號(hào):GA1210A561JBLAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�16A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
功�(PD)�200W
工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210A561JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少功率損耗并提高效率�
2. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操��
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 封裝�(jiān)固耐用,易于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
這些特性使其成為許多工�(yè)�(yīng)用的理想選擇,包括但不限于開�(guān)電源、逆變�、伺服驅(qū)�(dòng)器和電動(dòng)工具等�
GA1210A561JBLAR31G 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和直�-直流�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電��
6. 各類電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理模��
其高可靠性和寬泛的工作條件使得該芯片非常適合�(duì)性能要求苛刻的場(chǎng)合�
IRFP260N, STP16NM65N, FDP18N65C3