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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210A561JBLAR31G

GA1210A561JBLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 10:45:18 查看 閱讀�10

GA1210A561JBLAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn),便于集成到各種電子系統(tǒng)��
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)�。它能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)�,并具備良好的電磁兼容性(EMC)特��

參數(shù)

型號(hào):GA1210A561JBLAR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�16A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
  功�(PD)�200W
  工作溫度范圍(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210A561JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效減少功率損耗并提高效率�
  2. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)��
  3. 快速開�(guān)特�,支持高頻操��
  4. 出色的熱�(wěn)定�,確保在極端�(huán)境下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
  6. 封裝�(jiān)固耐用,易于安裝與散熱�(shè)�(jì)�
  這些特性使其成為許多工�(yè)�(yīng)用的理想選擇,包括但不限于開�(guān)電源、逆變�、伺服驅(qū)�(dòng)器和電動(dòng)工具等�

�(yīng)�

GA1210A561JBLAR31G 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和直�-直流�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電��
  6. 各類電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理模��
  其高可靠性和寬泛的工作條件使得該芯片非常適合�(duì)性能要求苛刻的場(chǎng)合�

替代型號(hào)

IRFP260N, STP16NM65N, FDP18N65C3

ga1210a561jblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-