型號(hào)：GA1210A561JBLAR31G
　　類型：N溝道功率MOSFET
　　最大漏源電壓(Vdss)：650V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：16A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：0.18Ω
　　功耗(PD)：200W
　　工作溫度范圍(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-247

GA1210A561JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效減少功率損耗并提高效率。
　　2. 高耐壓能力，適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開關(guān)特性，支持高頻操作。
　　4. 出色的熱穩(wěn)定性，確保在極端環(huán)境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
　　6. 封裝堅(jiān)固耐用，易于安裝與散熱設(shè)計(jì)。
　　這些特性使其成為許多工業(yè)應(yīng)用的理想選擇，包括但不限于開關(guān)電源、逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)工具等。

GA1210A561JBLAR31G 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括：
　　1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
　　5. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電器。
　　6. 各類電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理模塊。
　　其高可靠性和寬泛的工作條件使得該芯片非常適合對(duì)性能要求苛刻的場(chǎng)合。

IRFP260N, STP16NM65N, FDP18N65C3