GA1210A561JBLAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),便于集成到各種電子系統(tǒng)中。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換和快速響應(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景。它能夠在高電流和高電壓條件下穩(wěn)定運(yùn)行,并具備良好的電磁兼容性(EMC)特性。
型號(hào):GA1210A561JBLAR31G
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):16A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.18Ω
功耗(PD):200W
工作溫度范圍(Tj):-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210A561JBLAR31G 具備以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效減少功率損耗并提高效率。
2. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景。
3. 快速開關(guān)特性,支持高頻操作。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全。
6. 封裝堅(jiān)固耐用,易于安裝與散熱設(shè)計(jì)。
這些特性使其成為許多工業(yè)應(yīng)用的理想選擇,包括但不限于開關(guān)電源、逆變器、伺服驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)工具等。
GA1210A561JBLAR31G 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
5. 電動(dòng)汽車充電站及車載充電器。
6. 各類電動(dòng)工具和家用電器中的功率管理模塊。
其高可靠性和寬泛的工作條件使得該芯片非常適合對(duì)性能要求苛刻的場(chǎng)合。
IRFP260N, STP16NM65N, FDP18N65C3