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時(shí)間：2025/5/26 20:43:50
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GA1210A561JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該器件主要用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場合。其卓越的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET系列，具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力。其封裝形式為表面貼裝類型，適合自動(dòng)化生產(chǎn)線使用，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
型號(hào)：GA1210A561JXLAT31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds：120V
最大柵源電壓Vgs：±20V
最大漏極電流Id：80A（脈沖）
導(dǎo)通電阻Rds(on)：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
總功耗：15W
工作溫度范圍：-55℃至+175℃
封裝：TO-Leadless (表面貼裝)
切換頻率：高達(dá)5MHz
GA1210A561JXLAT31G具備以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，從而減少了導(dǎo)通損耗并提高了整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，支持高頻操作，適用于各種高效能轉(zhuǎn)換器。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐用性。
4. 良好的熱性能，有助于降低運(yùn)行溫度，提高可靠性。
5. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)，便于表面貼裝技術(shù)(SMT)使用，減少電路板空間需求。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
7. 優(yōu)異的電氣特性和機(jī)械穩(wěn)定性，確保長期穩(wěn)定運(yùn)行。
GA1210A561JXLAT31G適用于多種電力電子應(yīng)用場景：
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. 各類DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的半橋或全橋配置。
4. LED驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)元件。
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制中的負(fù)載開關(guān)。
6. 通信設(shè)備中的功率管理模塊。
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護(hù)開關(guān)。
GA1210A561KXLAT31G, IRFZ44N, FDP5510
